GIS气体高压开关在阳煤五矿变电站的应用

针对阳煤五矿广场变电站的高压开关老化问题,为了保证安全性,采用了GIS气体的高压绝缘开关进行了改造。在改造后,变电站的安全性得到了显著提高,设备运行可以节省成本200多万元。     

Compiler compatible 5.66 Mb/mm2 8T 1R1W register file in 14 nm FinFET technology

1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm² is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm² array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall V_min of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.     

Small‐Sized High‐Power PIN Diode Switch with Defected Ground Structure for Wireless Broadband Internet

This letter presents a small‐sized, high‐power single‐pole double‐throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow‐wave characteristic, the DGS is used for the quarter‐wave (°/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt‐connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt‐type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns.     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

宽带DDS跳频源设计

直接数字合成（DDS）简单可靠、控制方便，具有很高的频率分辨率，高速转换，非常适合快速跳频的要求。在对DDS基本原理进行了简要介绍和分析后，提出宽带跳频源设计方案。     

一个基于PE分层技术的电子政务网络平台

电子政务网络建设的主要目标就是建立一个开放的、基于标准的统一网络平台，并在该平台上实现政府不同部门之间的信息交换和资源共享，同时保证各部门信息的独立和安全。通过介绍电子政务网络建设中的主流技术——MPLSVPN，提出了一种基于该技术原理的PE分层技术，详细讨论了基于该分层技术的电子政务网络平台的实现过程和主要技术，并对其性能参数进行了测试与分析。     

医用激光治疗机的触摸屏控制系统设计

介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构，分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰（EMI）的产生机制，提出了具体的电磁兼容（EMC）技术措施并得到实验验证。     

自喷井电动清蜡绞车的研制

针对目前石油钻采用清蜡绞车总体结构设计不合理以及实用性不强等技术难题,研制开发了自喷井电动清蜡绞车。该绞车的核心部件包括过载保护安全装置、牙嵌离合器轴套、自动/手动互换装置、计量装置以及密封装置。在清蜡绞车自动工作中,当清蜡刮刀遇到较大阻力时,清蜡绞车将接收到反馈信号,可实现智能停车,自动转换为手动状态,以便操作人员检查和排除故障,从而确保了操作的安全性,延长了设备的使用寿命。1000余台电动清蜡绞车的现场应用表明,该产品可以大大降低原油的开采成本,具有良好的经济效益和社会效益。     

城域波分网络中的光环路保护分析

介绍了在城域波分网络中应用的四种环形保护倒换方案及其实现方式，并对各种保护倒换方案的特性进行了分析比较。     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关